Objetivos Generales del curso, (competencias específicas a desarrollar en el curso)

Descripción

Objetivos Generales del curso, (competencias específicas a desarrollar en el curso):

• 
  Conocer, analizar e interpretar información referente a los materiales semiconductores y principios de funcionamiento de los dispositivos semiconductores.
  
• 
  Conocer y comprender los modelos matemáticos del comportamiento de la operación de los dispositivos semiconductores.
  
• 
  Obtener e interpretar las curvas características de los dispositivos semiconductores, utilizando instrumentos reales y virtuales.
  

Competencia específica a desarrollar:

Contenidos

1. 
   Descripción de la estructura atómica.
   
2. 
   Niveles de energía.
   
3. 
   Electrones de valencia.
   
4. 
   Descripción de materiales aislantes, conductores y semiconductores.
   
5. 
   Enlace covalente.
   
6. 
   Corriente en el semiconductor
   

Unidad II: Unión PN

Competencia específica a desarrollar:

1. 
   Materiales semiconductores, (intrínseco, extrínseco).
   
2. 
   Semiconductor P y semiconductor N.
   
3. 
   Unión P-N en estado de equilibrio.
   

1. 
   Potencial de contacto.
   
2. 
   Campo eléctrico.
   
3. 
   Zonas de vaciamiento.
   
4. 
   Carga almacenada.
   
5. 
   Capacitancia de difusión y transición.
   
3. 
   Condiciones de polarización.
   

1. 
   Efecto de potencial de barrera.
   
2. 
   Polarización directa.
   
3. 
   Polarización inversa.
   
4. 
   Características de corriente – voltaje.
   
4. 
   Fenómenos de ruptura.
   
   1. 
      Ruptura por multiplicación o avalancha.
      
   2. 
      Ruptura Zener.
      

Unidad III: Dispositivos de unión

Competencia específica a desarrollar

Contenidos

1. 
   Diodos.
   
   1. 
      Diodo.
      
   2. 
      Diodo Zener.
      
   3. 
      Diodo Túnel.
      
   4. 
      Diodo varactor.
      
   5. 
      Diodo Pin.
      
   6. 
      Diodo Schottky.
      
2. 
   Dispositivos ópticos.
   
   1. 
      Fotodiodo.
      
   2. 
      Diodo emisor de luz.
      
   3. 
      Diodo láser.
      
   4. 
      Celda fotovoltaica.
      
   5. 
      Fotoresistor
      

Unidad IV: Dispositivos bipolares y monopolares

Competencia específica a desarrollar

Contenidos

1. 
   Dispositivos bipolares.
   
   1. 
      Parámetros de corriente (alfa y beta); corriente de fuga.
      
   2. 
      Funcionamiento del transistor bipolar BJT.
      
   3. 
      Curvas características y regiones de operación.
      
   4. 
      Configuraciones básicas (BC, EC,CC).
      
   5. 
      Aplicaciones básicas.
      
2. 
   Dispositivos unipolares.
   
   1. 
      Parámetros eléctricos (V_P, V_GS, I_DSS, I_D, transconductancia).
      
   2. 
      Funcionamiento del JFET.
      
   3. 
      Funcionamiento del MOSFET.
      
   4. 
      Configuraciones básicas
      
   5. 
      Aplicaciones básicas.
      

1. 
   Familia de tiristores (SCR, DIAC, TRIAC).
   
2. 
   UJT y PUT.
   
3. 
   MOSFET de potencia.
   
4. 
   IGBT.
   
5. 
   GTO
   

1. 
   Para el docente como una técnica de evaluación de la asignatura, que integre los instrumentos de evaluación necesarios para dar cuenta del aprendizaje logrado por el alumno y el grado de adquisición de las competencias marcadas en el plan de estudios y asimismo sustente la calificación lograda en el curso.
   

2. 
   Para el alumno como una técnica de evaluación de su proceso de aprendizaje, que le proporciona un espacio de autorreflexión del proceso seguido, de sus aciertos, desaciertos dificultades y forma en que se superaron y logros alcanzados con relación al aprendizaje alcanzado.
   

• 
  Ya que es muy importante tu participación en las sesiones de clase, es requisito contar con un 90 % de asistencia a las clases programadas para cada unidad.
  

• 
  La falta de entrega de una de las evidencias en los tiempos establecidos no permitirá la acreditación de la unidad.
  

• 
  Boylestad Robert, Nashelsky Louis.(1989). Electrónica :Teoría de Circuitos. México: Prentice. Hall
  
• 
  Gamboa Zuñiga Mariano, Reynel Iglesias Heberto.(1989). Introducción a la Física Electrónica. México: IPN.
  
• 
  García Burciaga Margarita, Cepeda Salinas Arturo.(1985). Dispositivos Electrónicos tomo I y II.. México: IPN
  

• 
  Jasprit, Singh. (1997). Dispositivos Semiconductores.México: Mc. Graw Hill. México
  

• 
  Malvino Albert Paul. (1991). Principios de Electrónica.. México: Mc Graw Hill
  
• 
  Mckelvey John P. (1988). Física del Estado Sólido y de Semiconductores. México: Limusa.
  
• 
  Pierret Robert F. (1996). Semiconductor Device Fundamentals.USA: Addison-Wesley Publishing Company, Inc.
  
• 
  Streetman Ben G. (1995). Solid State Electronic Devices. USA: Prentice Hall.
  
• 
  Sze S.M. (1981). Physics of Semiconductors Devices. Republic of Singapore: John Weley and Sons Inc.
  
• 
  http//jas.eng.buffalo.edu/education
  
• 
  jas 2 eng buffalo applets index (Buscar en google)