Clase Práctica Unidad II dispositivos de Memoria




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títuloClase Práctica Unidad II dispositivos de Memoria
fecha de publicación20.01.2016
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UNIVERSIDAD NACIONAL DE INGENIERIAlogouni

FACULTAD DE ELECTROTECNIA Y COMPUTACIÓN
Electrónica Digital II

Dept. Sist. Digitales y Telecomunicaciones

Managua, Nicaragua

Clase Práctica Unidad II Dispositivos de Memoria

I) Escoja la respuesta correcta encerrando en un círculo la letra adecuada.

1) ¿Cuál de las siguientes memorias se utiliza normalmente para inicializar el hardware de un sistema computacional?

  1. Memoria bootstrap

  2. Memoria Volátil.

  3. Memoria Masiva Externa

  4. Memoria Estática.

2) La razón por la cual las salidas de datos de la mayoría de los CI ROM son salidas de tres estados es:

  1. Permitir tres líneas separadas de entrada de datos.

  2. Permitir el flujo bidireccional de datos entre las líneas de canal y los registros ROM.

  3. Permitir la conexión de muchos circuitos ROM a un canal de datos común.

  4. Aislar los registros del canal de datos durante las funciones de lectura.


3) Una _____________ es una memoria programable por el usuario que no se puede borrar ni reprogramar.


  1. ROM

  2. EPROM

  3. EEPROM

  4. PROM


4) Una operación de escritura es también conocida como una operación “fetch”


  1. Verdadero

  2. Falso


5) Cada celda de memoria puede ser ocupada por más de un bit de datos.


  1. Verdadero

  2. Falso


6) La memoria de acceso secuencial se ve afectada por:


  1. Frecuencia de trabajo.

  2. Tiempos de acceso.

  3. Voltajes de alimentación


7) La ventaja de la memoria flash es que:


  1. Se puede expandir la capacidad muy fácilmente.

  2. Puede leer y escribir varias celdas a la vez.

  3. Son indestructibles.


8) El tiempo que existe entre el inicio del ciclo de lectura y el punto donde la salida de datos es válida se denomina:


  1. Tiempos de propagación.

  2. Tiempos de Acceso.

  3. Tiempos de Escritura.mcq009_1.gif


9) De los siguientes métodos de programación de memorias ROM, cual es el método más tardado de hacer.


  1. Proceso de enmascaramiento

  2. Eléctricamente

  3. Proceso Químico

  4. Proceso de Luz Ultravioleta


10) Para el circuito mostrado en la Figura 11-1 ¿Cual es la longitud del tamaño de la palabra?


  1. 3

  2. 4

  3. 8

  4. 32mcq012_1.gif


11) ¿Cuál es la importancia de los triángulos invertidos en las salidas del dispositivo de la figura 11-2?


  1. Representan inversores y significan que las salidas están activas BAJO.

  2. Representan buffers y significan que las salidas pueden manejar cargas de 40TTL, en lugar de las 10 normales. Significa que las salidas sólo estarían activas si ha ocurrido un cambio en la localidad de memoria desde el último ciclo de lectura/escritura.

  3. Las salidas son de tres estados.



II) Resuelva los siguientes ejercicios.


  1. Muestre como combinar ICs RAM de 32K x 8 para producir un modulo de 32K x 16.

  2. Muestre como conectar ICs ROM de 8K x 8 para producir un modulo de 16K x 8.

  3. Dibuje el diagrama completo para una memoria de 256K x 8 que utiliza ICs RAM de capacidad de 64K x 4, líneas comunes de Entrada/Salida y entrada de habilitación en ALTO.

  4. Un circuito RAM de 8K x 8 debe ser situado en el mapa de memoria correspondiente a un sistema cuyo bus de direcciones es de 16 líneas. Sin embargo las posiciones de memoria situadas entre la 0C00H y la 0FFFH se encuentran ya ocupadas por diversos dispositivos y también están ocupadas las direcciones de memoria de 1400H a la 1FFFH. ¿Diga cuál es la ubicación de este modulo en el mapa de memoria, cuanta memoria tiene de expansión y cuanta queda libre?

  5. Realice el mapa de Memoria del siguiente diagrama.

img001.jpg

Universidad Nacional de Ingeniería Docente: Carlos Ortega



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